[发明专利]一种GaN薄膜材料的制备方法在审
| 申请号： | 201610841056.9 | 申请日： | 2016-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN106435720A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 王文庆 | 申请（专利权）人： | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/40;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人： | 连平 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种第三代宽禁带半导体材料制备技术，特别涉及一种GaN薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：在衬底上形成多孔结构，孔洞内漏出衬底，孔洞表面为不能成核生长的钝化层；在孔洞内依次生长低温GaN成核层、中温GaN缓冲层以及高温GaN层，直到填平孔洞；在孔洞外继续生长高温GaN层形成直径不断增加的GaN纳米柱阵列，直到GaN纳米柱阵列合并到一起。继续生长合并到一起的GaN纳米柱阵列，形成GaN薄膜材料。本发明方法制备的GaN薄膜材料晶体质量高，并且制备方法可控性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在衬底上形成多孔结构，孔洞内漏出衬底，孔洞表面为不能成核生长的钝化层；(2)在孔洞内依次生长低温GaN成核层、中温GaN缓冲层以及高温GaN层，直到填平孔洞；(3)在孔洞外继续生长高温GaN层形成直径不断增加的GaN纳米柱阵列，直到GaN纳米柱阵列合并到一起；(4)继续生长合并到一起的GaN纳米柱阵列，形成GaN薄膜材料。
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