[发明专利]微波退火制备 3D NAND 的方法有效
| 申请号： | 201610842148.9 | 申请日： | 2016-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN107863347B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11556 | 分类号： | H01L27/11556;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种微波退火制备3D NAND的方法，包括：在半导体衬底上形成多层层叠结构，所述层叠结构依次包括第一材料层与第二材料层；刻蚀所述层叠结构形成通孔，暴露出所述半导体衬底；在所述通孔的侧壁上形成非晶硅；对所述非晶硅进行微波退火，使所述非晶硅转换为多晶硅；在通孔的侧壁上形成非晶硅之后，对所述非晶硅进行微波退火，使所述非晶硅转换为多晶硅，提高了多晶硅的晶化质量，进而提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 微波 退火 制备 nand 方法 | ||
【主权项】：
一种微波退火制备3D NAND的方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成多层层叠结构，所述层叠结构依次包括第一材料层与第二材料层；刻蚀所述层叠结构形成通孔，暴露出所述半导体衬底；在所述通孔的侧壁上形成非晶硅；对所述非晶硅进行微波退火，使所述非晶硅转换为多晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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