[发明专利]一种快恢复二极管及其制备方法

摘要

本发明提供了一种快恢复二极管及其制备方法，所述方法包括向硅衬底的背面注入P型离子形成P型掺杂区，并在背面形成外延层；在硅衬底的正面形成有源区和终端区；对终端区的边缘掺杂N型离子形成截止环，对外延层掺杂N型离子形成N+阴极区；分别对硅衬底的正面和背面淀积金属层，形成金属电极；在硅衬底的背面形成N型缓冲层；所述快恢复二极管采用上述方法制备。与现有技术相比，本发明提供的一种快恢复二极管及其制备方法，可以依据快恢复二极管的性能需求设定P岛和缓冲层之间的位置关系和各个P型掺杂区所占各区域的面积比例，使其具备良好的反向恢复软度和高的可靠性。

主权项

一种快恢复二极管制备方法，其特征在于，所述方法包括：向硅衬底的背面注入P型离子形成P型掺杂区，并在所述背面形成外延层；在所述硅衬底的正面形成有源区和终端区；对所述终端区的边缘掺杂N型离子形成截止环，对所述外延层掺杂N型离子形成N+阴极区；分别对所述硅衬底的正面和背面淀积金属层，形成金属电极；在所述硅衬底的背面形成N型缓冲层；所述N型缓冲层位于N+阴极区的上方且与所述N+阴极区接触，所述N型缓冲层的结深大于所述P型掺杂区的结深。