[发明专利]显示设备在审
| 申请号： | 201610843907.3 | 申请日： | 2010-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN106200185A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;小山润;三宅博之;津吹将志;野田耕生 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368;G09G3/36;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种显示设备，包括：包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管，所述沟道形成区包括氧化物半导体；电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极；以及与所述像素电极相邻的液晶材料，其中，所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。 | ||
| 搜索关键词： | 显示 设备 | ||
【主权项】：
一种显示设备，包括：包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管，所述沟道形成区包括氧化物半导体；电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极；以及与所述像素电极相邻的液晶材料，其中，所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。
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