[发明专利]一种发光二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201610844006.6 | 申请日： | 2016-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN106229400A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 王锋;吴厚润;洪灵愿;彭康伟;林素慧;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法。一种发光二极管，包含：磊晶基板；N型半导体层，位于所述磊晶基板表面之上；发光层，位于所述N型半导体层表面之上，定义发光层的上表面为第一表面，发光层的下表面为第二表面；P型半导体层，位于所述发光层第一表面之上；P型金属电极，位于所述P型半导体层表面之上；包含金属反射层结构的N型金属电极，位于局部裸露之N型半导体层表面之上，定义金属反射层结构的上表面为第三表面，金属反射层结构的下表面为第四表面；其特征在于：所述第三表面的高度大于等于第一表面的高度，所述第四表面的高度小于等于第二表面的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包含：磊晶基板；N型半导体层，位于所述磊晶基板表面之上；发光层，位于所述N型半导体层表面之上，定义发光层的上表面为第一表面，发光层的下表面为第二表面；P型半导体层，位于所述发光层第一表面之上；P型金属电极，位于所述P型半导体层表面之上；包含金属反射层结构的N型金属电极，位于局部裸露之N型半导体层表面之上，定义金属反射层结构的上表面为第三表面，金属反射层结构的下表面为第四表面；其特征在于：所述第三表面的高度大于等于第一表面的高度，所述第四表面的高度小于等于第二表面的高度。
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