[发明专利]一种利用高温超高压制备片状二硒化铂的方法有效

专利信息
申请号: 201610844233.9 申请日: 2016-09-23
公开(公告)号: CN106431407B 公开(公告)日: 2019-04-12
发明(设计)人: 陈远富;刘科;郑斌杰;戚飞;王新强;吴京军;贺端威;张万里;李言荣 申请(专利权)人: 电子科技大学;四川大学
主分类号: C04B35/547 分类号: C04B35/547;C04B35/65
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种利用高温超高压制备片状二硒化铂的方法,属于功能材料制备技术领域。本发明直接以单质铂和硒粉为原料,无需任何反应助剂,在高温高压下合成;本发明可通过控制合成温度和压力来调整产品的纯度,并制备出纯相、结晶性能良好、大晶粒尺寸的块体状二硒化铂(PtSe2);本发明主要包括样品处理、样品组装、高温高压反应和退火去硒这四个步骤,制备方法简单、制备同期短,制得的二硒化铂(PtSe2)结晶性好、晶粒大,适合工业化大规模生产;本发明发展了新型的二维半导体制备方法,为二硒化铂等过渡金属硫族化合物的可控制备,以及相关二维材料在光电子器件和催化剂方面的潜在应用提供了可靠的制备手段,具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 利用 高温 超高压 制备 片状 二硒化铂 方法
【主权项】:
1.一种利用高温超高压制备片状二硒化铂的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:将铂片按照封装管的直径大小剪切,将硒粉通过模具压制成相同直径的硒片或者将硒粉均匀覆盖于铂片上压实,步骤2:将步骤1制得的铂片和硒片分层置于封装管中,并将封装管置于加热体中,再将加热体置于传热介质腔体中;步骤3:将步骤2制得的组装件置于大腔体静高压装置中,将压力上升至3~5GPa的超高压状态,在维持压力不变的同时升温,升温速率范围为150~175℃/min,在600~800℃保持30~60分钟后,在维持压力不变的同时降温,降温速率范围为150~175℃/min,待降至室温后卸压;步骤4:取步骤3制得的样品在真空氩气保护的条件下进行退火处理,去除过量硒,即制得纯相的二硒化铂。
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