[发明专利]一种GaAs/Si外延材料制备方法在审
| 申请号： | 201610844357.7 | 申请日： | 2016-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN106435721A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 王文庆 | 申请（专利权）人： | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/42;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人： | 连平 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造及设计技术领域，特别涉及一种GaAs/Si外延材料制备方法，包括：选取单晶Si衬底，并对单晶Si衬底清洗；在所述单晶Si衬底上形成凹层；在所述凹层上形成Si薄膜层，Si薄膜层在凹层的凹槽处悬空设置；在所述Si薄膜层上形成GaAs种子层；在所述GaAs种子层上形成GaAs第一缓冲层；在所述GaAs第一缓冲层上形成GaAs第二缓冲层；在所述GaAs第二缓冲层上形成GaAs外延层。本发明实现了在价格便宜的单晶Si衬底上制备高质量的GaAs晶体薄膜，并且未引入附加应力场，在后续的器件制作中对器件品质不会产生附加的不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas si 外延 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaAs/Si外延材料制备方法，其特征在于，包括以下步骤：选取单晶Si衬底，并对单晶Si衬底清洗；在所述单晶Si衬底上形成凹层；在所述凹层上形成Si薄膜层，Si薄膜层在凹层的凹槽处悬空设置；在所述Si薄膜层上形成GaAs种子层；在所述GaAs种子层上形成GaAs第一缓冲层；在所述GaAs第一缓冲层上形成GaAs第二缓冲层；在所述GaAs第二缓冲层上形成GaAs外延层。
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