[发明专利]瞬态电压抑制器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种瞬态电压抑制器及其制造方法，通过设置由埋层延伸至第一半导体层中的多个第一沟槽，且在所述第一沟槽中填充导电材料，使得所述埋层与第一沟槽构成的体区与所述第一半导体层之间的形成三维的PN结，以作为瞬态电压抑制的第一二极管的PN结，从而可有效的提高了瞬态电压抑制的瞬态电压抑制能力。此外，采用载流子浓度非常低的第二半导体层作为瞬态电压抑制器的各个整流二极管的一部分，有效的降低了瞬态电压抑制器的电容，提高了其响应速度，使得其更适合于高速率传输器件的应用。

主权项

1.一种瞬态电压抑制器，其特征在于，包括：第一掺杂类型的第一半导体层，位于所述第一半导体层中的埋层，所述埋层为第二掺杂类型，且所述埋层的至少部分表面被所述第一半导体层裸露，至少一个第一沟槽，所述第一沟槽从所述埋层开始延伸至所述第一半导体层中，且所述第一沟槽中填充第二掺杂类型的填充材料，位于所述第一半导体层和埋层上的第二半导体层，第二掺杂类型的第一掺杂区，位于所述第二半导体层的第一区域中，第一掺杂类型的第二掺杂区，位于所述第二半导体层的第二区域中。