[发明专利]一种双金属浮栅存储器及其制备方法

摘要

本发明的一种双金属浮栅存储器及其制备方法，包括步骤：自下而上依次包括基底、栅极、阻挡介电层、纳米颗粒层、隧穿介电层、半导体层及源漏电极；其中，所述纳米颗粒层的材料为双金属合金纳米颗粒，所述纳米颗粒层为纳米颗粒单层。本发明通过选择双金属合金纳米颗粒，可实现对纳米颗粒费米能级的调控，从而实现对存储器展现可调的性能。另外，采用微接触印刷法制备单层结构的双金属合金纳米颗粒层，可有效节省材料，降低损耗，大大减少了存储器件制造成本。此外，本发明存储器器件结构可实现高密度存储，维持存储器器件高性能运行，调控浮栅能级实现了数据的长时间保存，并实现了双金属结构纳米粒子存储器件读写速度和记忆时间的平衡。

主权项

1.一种双金属浮栅存储器，其特征在于，自下而上依次包括基底、栅极、阻挡介电层、纳米颗粒层、隧穿介电层、半导体层及源漏电极；其中，所述纳米颗粒层的材料为双金属合金纳米颗粒，所述纳米颗粒层为纳米颗粒单层；所述双金属合金纳米颗粒为铜基双金属合金纳米颗粒；所述铜基双金属合金纳米颗粒为Cu/Ag、Cu/Au、Cu/Pt中的一种；所述铜基双金属合金纳米颗粒为球形或立方形；所述铜基双金属合金纳米颗粒的金属成分的质量配比为铜：银/金/铂=1：（1~3）。