[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201610846012.5 | 申请日： | 2016-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN106449816B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 朱延军 | 申请（专利权）人： | 江苏丰远新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0392 | 分类号： | H01L31/0392;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人： | 黄立新 |
| 地址： | 223900 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及光伏薄膜材料技术领域，特别涉及一种铜铟镓硒薄膜的制备方法，在沉积钼背电极的衬底上磁控溅射形成铜铟镓硒第一预制层；在铜铟镓硒第一预制层上磁控溅射形成包含硒化物系列化合物的铜铟镓硒第二预制层；硒化热处理前两步形成的预制层薄膜，得到铜铟镓硒薄膜。本发明铜铟镓硒薄膜制备方法简单易控，制备的铜铟镓硒薄膜作为光吸收层性能良好，提高了使用该铜铟镓硒薄膜的太阳能电池的光电转换效率，增加了太阳能电池的开路电压。 | ||
| 搜索关键词： | 铜铟镓硒薄膜 预制层 制备 铜铟镓硒 太阳能电池 磁控溅射 材料技术领域 光电转换效率 系列化合物 热处理 光伏薄膜 光吸收层 开路电压 背电极 步形成 硒化物 沉积 衬底 硒化 薄膜 | ||
【主权项】：
一种铜铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在沉积钼背电极的衬底上磁控溅射形成铜铟镓硒第一预制层；(2)在铜铟镓硒第一预制层上磁控溅射形成包含硒化物系列化合物的铜铟镓硒第二预制层，Ga/(In+Ga)的比值与铜铟镓硒第一预制层之差为0～0.03；其中，铜铟镓硒第二预制层Se/(Cu+In+Ga)为0.3～1.0；溅射的铜铟镓硒第一预制层以及铜铟镓硒第二预制层各元素比满足Cu/(In+Ga)为0.75，Ga/(In+Ga)为0.4；(3)硒化热处理前两步形成的预制层薄膜，得到铜铟镓硒薄膜；其中，硒化热处理温度550℃，时间30min～60min；硒化热处理加热过程为，先20℃/min升温至200℃，再100℃/min升温至510℃～560℃，维持2分钟，然后10℃/min降温至550℃，维持30min～60min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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