[发明专利]一种GaN薄膜材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201610846013.X | 申请日： | 2016-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN106384709A | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 王文庆 | 申请（专利权）人： | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人： | 连平 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种第三代宽禁带半导体材料制备技术，特别涉及一种GaN薄膜材料及其制备方法。该GaN薄膜材料的制备方法包括如下步骤低温分立生长分立缓冲层，生长温度400℃～600℃；升温1000℃～1100℃，使所述分立缓冲层横向生长连成GaN一体层，然后将所述GaN一体层在H2、NH3气氛下退火，最后生长GaN薄膜层。该GaN薄膜材料由分立缓冲层和整体GaN薄膜层层叠构成，整体GaN薄膜层包括GaN一体层和GaN薄膜层，GaN薄膜层生长在GaN一体层上。运用本发明制备方法制备的GaN薄膜材料，晶格缺陷少，同时薄膜整体均匀性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)低温分立生长分立缓冲层，生长温度400℃～600℃；(2)升温1000℃～1100℃，使所述分立缓冲层横向生长连成GaN一体层，然后将所述GaN一体层在H2、NH3气氛下退火，最后生长GaN薄膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
