[发明专利]一种闪存错误模式的测试方法和系统

摘要

本发明公开了一种闪存错误模式的测试方法,随着闪存存储容量的提升，存储单元受到强烈的噪声干扰，导致比特错误数量超过了当前纠错码的纠错能力，使得当前的纠错码不能满足保证数据可靠性的需求，为了针对闪存的错误特征设计有效的纠错码，需要对闪存的错误模式有一个清晰的理解，因此，本发明涉及一种闪存错误模式的测试方法，该方法包括两个阶段，数据写入和检验。在测试过程中，我们设计了两个关键的数据结构：地址列表用于存储数据写入闪存时的地址和错误信息列表用于存储页对应的比特错误信息,在数据检验阶段,通过特殊的操作绕过控制器中的纠错过程获取存储在闪存中的原始数据,通过该测试方法能够对闪存各种错误模式进行研究和分析。

主权项

一种闪存错误模式的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)根据主机发出的写入数据请求，根据该写入数据请求为不同类型的数据分配对应的缓存，所有的缓存组成数据池；(2)接收来自用户的顺序写入请求，并根据该顺序写入请求为缓存中的所有数据分配页面地址；(3)根据步骤(2)中分配的页面地址将缓存中的所有数据写入到闪存页面中；(4)根据步骤(2)中分配的第一个页面地址将存储在闪存页面中的对应数据读出，并将读出的数据与缓存中的对应数据进行比较，以统计第一个数据的比特位的错误数量和错误位置；(5)将统计出的第一个数据的比特位的错误数量和错误位置和对应的页面地址作为一个信息条目存储在错误信息列表中；(6)重复步骤(4)和(5)，直到对缓存中所有数据执行完对应操作为止；(7)将错误信息列表中比特位的错误信息包括比特位错误数量和错误位置、以及对应的页面地址通过统计信息操作存储在日志文件中。