[发明专利]III族氮化物半导体发光器件

摘要

本发明涉及III族氮化物半导体发光器件，提供了一种呈现出提高的发光效率的III族氮化物半导体发光器件。该III族氮化物半导体发光器件包括基底层、n型超晶格层、发光层以及p型覆层，这些层中的每一个层都由III族氮化物半导体制成。在基底层中形成有包括单个AlxGa1‑xN(0<x<1)层并且具有5Å至30Å的厚度的电子注入调节层。n型超晶格层是具有InyGa1‑yN(0<y<1)层、i‑GaN层以及n‑GaN层的周期性结构的超晶格层。电子注入调节层具有5Å至30Å的厚度以及0.15至0.5的Al组成比。

主权项

一种III族氮化物半导体发光器件，其包括：衬底、n电极、层状结构和p电极，所述层状结构包括按如下顺序沉积的层：形成在所述衬底上的单晶基底层、接触所述基底层的n型层侧超晶格层、接触所述n型层侧超晶格层的发光层、p型层侧覆层和p型层侧接触层，所述层中的每个层由III族氮化物半导体形成；其中所述n型层侧超晶格层具有重复沉积的InzGa1‑zN层和GaN层的层状结构，所述InzGa1‑zN层在整个周期中具有恒定组成比，其中0<z<1；并且其中所述基底层包括在从所述n电极注入的电子流到所述p电极的路径中形成的电子注入调节层，所述电子注入调节层作为设置在所述基底层中的层或者接触所述n型超晶格层的层，并且所述电子注入调节层包括单个AlxGayIn1‑x‑yN层，所述AlxGayIn1‑x‑yN层的导带底的电子能级高于构成所述基底层的任何其他层的导带底的电子能级并且厚度为至其中0<x<1，0<y<1，0<x+y≤1。