[发明专利]TiON膜的成膜方法有效
| 申请号： | 201610847749.9 | 申请日： | 2016-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN106971937B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 石坂忠大;小泉正树;佐野正树;洪锡亨 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/30;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题在于，提供一种能够成膜平滑性优越的TiON膜的TiON膜的成膜方法。其解决方法在于，在成膜初期阶段中，将重复含Ti气体和氮化气体的交替供给X1次后、供给氧化剂的循环进行Y1循环，在之后的成膜阶段中，将重复含Ti气体和氮化气体的交替供给X2次后、供给氧化剂的循环进行Y2循环直至成为所要求的膜厚。此时，成膜初期阶段的重复数X1和之后的成膜阶段的重复数X2被设定为X1＞X2。 | ||
| 搜索关键词： | tion 方法 | ||
【主权项】：
1.一种TiON膜的成膜方法，其特征在于：该方法为将被处理基板收纳于处理容器内，使所述处理容器内保持减压状态，以规定的处理温度，将如下循环重复多个循环来形成TiON膜的方法，所述循环如下：将含Ti气体和氮化气体向所述处理容器内交替供给，形成单位TiN膜后，向所述处理容器内供给氧化剂而使所述单位TiN膜氧化，在成膜初期阶段中，将重复所述含Ti气体和氮化气体的交替供给X1次后、供给氧化剂的循环进行Y1循环，在之后的成膜阶段中，将重复含Ti气体和氮化气体的交替供给X2次后、供给氧化剂的循环进行Y2循环，直至成为所要求的膜厚，所述成膜初期阶段的重复数X1和所述之后的成膜阶段的重复数X2被设定为X1＞X2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610847749.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
- 下一篇：基板加热装置及基板加热方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
