[发明专利]一种具有不饱和特性的肖特基晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610847794.4 | 申请日： | 2016-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN106206749A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 杨建红;陈健;肖彤;庞正鹏;王欣;谌文杰 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80;H01L29/808;H01L21/337;H01L29/06 |
| 代理公司： | 兰州振华专利代理有限责任公司 62102 | 代理人： | 张晋 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有不饱和特性的肖特基晶体管及其制备方法。本发明的器件由漏极以及设置于漏极上的N+掺杂的低阻单晶衬底，位于N+掺杂的低阻单晶衬底上的N‑掺杂的高阻外延层、位于N‑掺杂的高阻外延层表面的两个P+掺杂的界面栅区，两个分别位于P+掺杂的界面栅区上的栅电极，和两个栅电极之间位于N‑掺杂高阻外延层表面的源电极构成。本器件是一种单极性工作模式的器件，且具有不饱和的类三极管的I‑V特性，器件的失真度小，抗干扰性能好，对于静电感应晶体管的简化和肖特基二极管的改进具有重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 不饱和 特性 肖特基 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有不饱和特性的肖特基晶体管，其特征在于：由漏极以及设置于漏极上的N+掺杂的低阻单晶衬底，位于N+掺杂的低阻单晶衬底上的N‑掺杂的高阻外延层、位于N‑掺杂的高阻外延层表面的两个P+掺杂的界面栅区，两个分别位于P+掺杂的界面栅区上的栅电极，和两个栅电极之间位于N‑掺杂高阻外延层表面的源电极构成。
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