[发明专利]基于沟道隐埋层的电流可控型静电感应晶体管在审
| 申请号： | 201610847814.8 | 申请日： | 2016-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN106449745A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 杨建红;王欣;陈健;肖彤;王娇;乔坚栗 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 兰州振华专利代理有限责任公司62102 | 代理人： | 张晋 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于沟道隐埋层的电流可控型静电感应晶体管(SIT),包括漏极、位于漏极之上的低阻单晶衬底、位于低阻单晶衬底之上的高阻外延层、位于高阻外延层内沟道下方的隐埋层和位于高阻外延层内相互并联的多个SIT单元，其特征在于隐埋层位于沟道下方0.3～0.7um，掺杂浓度为5×1014～1×1015cm‑3，隐埋层厚度为0.4～0.6um。本发明的器件能够在保持结构、材料以及工艺等互相影响的制造参数不变的情况下，通过改变独立的参数，来调控SIT的电学参数从而调控SIT的输出特性，从而制备出性能优良的SIT。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 沟道 隐埋层 电流 可控 静电感应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种电流可控型静电感应晶体管，包括漏极、位于漏极之上的低阻单晶衬底、位于低阻单晶衬底之上的高阻外延层和位于高阻外延层内沟道下方的隐埋层，其特征在于隐埋层位于沟道下方0.3～0.7um，掺杂浓度为5×1014～1×1015cm‑3，隐埋层厚度为0.4～0.6um。
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