[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610847818.6 | 申请日： | 2016-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN106558601B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 仓桥健一郎;南条拓真;吹田宗义;今井章文;柳生荣治;冈崎拓行 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 得到一种能够再现性优异地抑制电流崩塌的半导体装置及其制造方法。在衬底(1)之上形成有氮化物半导体层(3、4)。在氮化物半导体层(3、4)之上形成有源极电极(5)、栅极电极(7)以及漏极电极(6)。SiN表面保护膜(8)覆盖氮化物半导体层(3、4)。SiN表面保护膜(8)的形成Si‑N键的Si与N的构成比Si/N为0.751～0.801。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：衬底；氮化物半导体层，其形成于所述衬底之上；源极电极、漏极电极以及栅极电极，它们形成于所述氮化物半导体层之上；以及SiN表面保护膜，其覆盖所述氮化物半导体层，所述SiN表面保护膜具有形成Si‑N键的Si与N以及与杂质能级或界面态结合的其他Si与N，所述形成Si‑N键的Si与N的构成比Si/N为0.751～0.801。
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