[发明专利]用于形成半导体器件的方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 201610848656.8 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN106449507B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | W·莱纳特;R·鲁普;F·J·桑托斯罗德里格斯;H-J·舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/78 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于形成半导体器件的方法以及半导体器件。提供了一种形成半导体器件的方法以及一种半导体器件。该方法包括：提供晶片堆叠(40)，该晶片堆叠(40)包括包含石墨的载体晶片(20)和包含宽带隙半导体材料且具有第一侧(21)和与第一侧(21)相对的第二侧(22)的器件晶片(1、2)，第二侧(22)附着到载体晶片(20)；限定晶片堆叠(40)的器件区(D)；部分地去除载体晶片(20)使得在布置于各自器件区(D)内的载体晶片(20)中形成开口(25)，且使得器件晶片(1、2)被载体晶片(20)的剩余部(20’)支撑；和进一步处理器件晶片(1、2)同时器件晶片(1、2)保持由载体晶片(20)的剩余部(20’)支撑。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 半导体器件 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：/n-提供晶片堆叠(40)，该晶片堆叠(40)包括石墨载体晶片(20)和包含宽带隙半导体材料的器件晶片(1、2)，该器件晶片(1、2)具有第一侧(21)和与第一侧(21)相对的第二侧(22)，第二侧(22)附着到载体晶片(20)；/n-限定晶片堆叠(40)的器件区(D)；/n-部分去除载体晶片(20)使得在布置于各自器件区(D)内的载体晶片(20)中形成开口(25)，且使得器件晶片(1、2)由载体晶片(20)的剩余部(20’)支撑；和/n-进一步处理器件晶片(1、2)同时器件晶片(1、2)保持由载体晶片(20)的剩余部(20’)支撑。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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