[发明专利]一种用于锗单晶片位错检测的腐蚀液及腐蚀方法在审
| 申请号： | 201610849163.6 | 申请日： | 2016-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN106567079A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 席珍强;曹佳辉;王龙成;金达莱;王卿伟;陈仕天 | 申请（专利权）人： | 中锗科技有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/24 | 分类号： | C23F1/24;C30B29/08;C30B33/10;G01N1/32 |
| 代理公司： | 南京先科专利代理事务所(普通合伙)32285 | 代理人： | 缪友菊 |
| 地址： | 211299 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于锗单晶片位错检测的腐蚀液，包括浓度为30～50wt%的氢氟酸，浓度为2.9～10wt％的高锰酸钾水溶液和摩尔浓度为3～6mol/L的硫酸，并进一步公开了采用该腐蚀液进行位错检测的腐蚀方法。采用本发明提供的腐蚀液和腐蚀方法可对<100>和<111>锗单晶片进行位错检测，无需将单晶进行抛光，摆脱了现有腐蚀液需要先抛光后腐蚀显示位错、反应不可控、产生污染气体的问题；（2）采用本方法对锗单晶进行位错检测，可以对常用的不同晶向的锗单晶进行检测，摆脱传统腐蚀剂的适用单一性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 晶片 检测 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种用于锗单晶片位错检测的腐蚀液，其特征在于：包括浓度为30～50wt％的氢氟酸，浓度为2.9～10wt％的高锰酸钾水溶液和摩尔浓度为3～6mol/L的硫酸，其中氢氟酸、硫酸和高锰酸钾溶液的添加体积比为7～9:1～3:10。
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