[发明专利]具有多个晶体管和至少一个电压限制结构的集成电路在审
申请号: | 201610849500.1 | 申请日: | 2016-09-23 |
公开(公告)号: | CN107026157A | 公开(公告)日: | 2017-08-08 |
发明(设计)人: | 安德烈亚斯·迈泽尔;迪尔克·普列费特;罗尔夫·魏斯 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/06 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 王萍,韩炜 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种集成电路。该集成电路包括半导体本体,具有第一半导体层、在第一半导体层上的绝缘层、以及在绝缘层上的第二半导体层。集成电路还包括多个晶体管,该多个晶体管中的每个晶体管包括负载路径和控制节点。负载路径串联连接,并且多个晶体管至少部分地集成在第二半导体层中。电压限制结构与多个晶体管中的一个晶体管的负载路径并联连接,其中电压限制结构集成在第一半导体层中并且通过延伸穿过绝缘层的两个导电通孔连接至多个晶体管中的该一个晶体管。 | ||
搜索关键词: | 具有 晶体管 至少 一个 电压 限制 结构 集成电路 | ||
【主权项】:
一种集成电路,包括:半导体本体,其包括第一半导体层、在所述第一半导体层上的绝缘层、以及在所述绝缘层上的第二半导体层;多个晶体管,所述多个晶体管中的每个晶体管包括负载路径和控制节点,其中所述负载路径串联连接以形成晶体管串联电路,以及其中所述多个晶体管至少部分地集成在所述第二半导体层中;电压限制结构,其与所述多个晶体管中的一个晶体管的负载路径并联连接,其中所述电压限制结构集成在所述第一半导体层中并且通过延伸穿过所述绝缘层的两个导电通孔连接至所述多个晶体管中的所述一个晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的