[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示面板有效
| 申请号： | 201610849619.9 | 申请日： | 2016-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN106128963B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 王国英;陈江博;宋振 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，可避免有源层迁移率的降低，提高薄膜晶体管的稳定性。所述薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底上形成有源层，所述有源层包括源极区、漏极区和沟道区；对所述沟道区进行处理，使所述沟道区的载流子浓度降低，以使所述沟道区的载流子浓度保持所述薄膜晶体管的开关特性；形成栅绝缘层、栅电极、钝化层、源电极、漏电极；所述源电极、漏电极至少通过设置在所述钝化层上的过孔，分别与所述源极区和所述漏极区接触。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 阵列 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种顶栅型薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成有源层，所述有源层包括源极区、漏极区和沟道区；对所述沟道区进行处理，使所述沟道区的载流子浓度降低，以使所述沟道区的载流子浓度保持所述薄膜晶体管的开关特性；形成栅绝缘层、栅电极、钝化层、源电极、漏电极；所述源电极、漏电极至少通过设置在所述钝化层上的过孔，分别与所述源极区和所述漏极区接触；对所述沟道区进行处理，包括：在形成有所述有源层的衬底上形成露出所述沟道区的光刻胶层；对所述沟道区进行处理；形成栅绝缘层、栅电极，包括：在形成有所述光刻胶层的衬底上依次形成绝缘薄膜和金属薄膜；将所述光刻胶层剥离，形成图案相同的所述栅绝缘层和所述栅电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610849619.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：腰椎牵引护腰带
- 下一篇：一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
