[发明专利]基于神经网络芯片的存储结构及其存储方法有效
| 申请号： | 201610849768.5 | 申请日： | 2016-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN106372723B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 易敬军;陈邦明;王本艳 | 申请（专利权）人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G06N3/063 | 分类号： | G06N3/063;H03M1/46 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201500 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种基于神经网络芯片的存储结构及其存储方法。存储结构包括：衬底；N位模数转换电路，制备于衬底上；存储阵列，制备于N位模数转换电路上，包括至少一个存储单元，存储单元包括至少两个存储列；一存储列预存储有参考电压，另一存储列用于存储转换的M位进制信号的权重，N位模数转换电路利用参考电压得到M位进制信号的权重，通过读取M位进制信号的权重得到M位进制信号。存储方法包括：利用N位模数转换电路读取存储阵列中预存储的参考电压；N位模数转换电路通过比较参考电压和输入的模拟信号得到M位进制信号的权重；N位模数转换电路读取M位进制信号的权重得到M位进制信号。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 神经网络 芯片 存储 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于神经网络芯片的存储结构，其特征在于，应用于对输入的模拟信号进行M位进制的转换后存储，所述存储结构包括：衬底；N位模数转换电路，制备于所述衬底上；存储阵列，制备于所述N位模数转换电路上，包括至少一个存储单元，所述存储单元包括至少两个存储列；其中，一存储列预存储有参考电压，相邻的两个存储列用于存储转换的M位进制信号的权重，3≤M≤N，M和N均为整数；以及所述N位模数转换电路对所述输入的模拟信号和所述参考电压进行逐次比较以得到所述M位进制信号的权重，通过读取所述M位进制信号的权重得到所述M位进制信号。
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