[发明专利]基板处理方法和基板处理装置有效
申请号: | 201610849869.2 | 申请日: | 2016-09-26 |
公开(公告)号: | CN106971941B | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 桥本祐作;下青木刚;福田昌弘;田中公一朗 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种能够更切实地抑制显影的进行量由于基板上的位置的不同而产生偏差的基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括:在使晶圆以第一转速旋转、使接液面与晶圆的表面相对的状态下,从喷出口向晶圆的表面供给显影液,一边使接液面与显影液接触一边使喷嘴移动,从而在晶圆的表面上形成显影液的液膜;在液膜形成在晶圆的表面上之后,在来自喷出口的显影液的供给停止了的状态下,以比第一转速低的第二转速使晶圆旋转;在以第二转速使晶圆旋转之后,以比第一转速高的第三转速使晶圆旋转;在以第三转速使晶圆旋转之后,使晶圆的转速为第二转速以下,从而在晶圆的表面上保持液膜。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种基板处理方法,其包括:在使基板以第一转速旋转、使在喷嘴的喷出口的周围形成的接液面与所述基板的表面相对的状态下,从所述喷出口向所述基板的表面供给显影液,一边使所述接液面与所述显影液接触一边使所述喷嘴移动,从而在所述基板的表面上形成所述显影液的液膜;在所述液膜形成在所述基板的表面之后,在来自所述喷出口的所述显影液的供给停止了的状态下,以比所述第一转速低的第二转速使所述基板旋转;在使所述基板以所述第二转速旋转之后,以比所述第一转速高的第三转速使所述基板旋转;在以所述第三转速使所述基板旋转之后,使所述基板的转速为所述第二转速以下,从而在所述基板的表面上保持所述液膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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