[发明专利]一种基于在碳布上生长的钴酸镍@二氧化锰核壳异质结构纳米线阵列、制备方法及其应用在审

专利信息
申请号: 201610850406.8 申请日: 2016-09-26
公开(公告)号: CN106373785A 公开(公告)日: 2017-02-01
发明(设计)人: 张小俊;付阳 申请(专利权)人: 安徽师范大学
主分类号: H01G11/24 分类号: H01G11/24;H01G11/30;H01G11/32;H01G11/46;H01G11/86
代理公司: 芜湖安汇知识产权代理有限公司34107 代理人: 任晨晨
地址: 241000 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种基于在碳布上生长的钴酸镍@二氧化锰核壳异质结构纳米线阵列、制备方法及其应用。与现有技术相比。本发明提供的制备方法产物纯度高、分散性好、晶形好且可控制,生产成本低,重现性好。所制备出的钴酸镍@二氧化锰核壳异质结构纳米线阵列生长在碳布上,可直接作为超级电容器的电极材料,实现了长的循环稳定性、大的具体电容、高的能量密度和功率密度,在能量存储方面具有潜在的应用价值。
搜索关键词: 一种 基于 碳布上 生长 钴酸镍 二氧化锰 核壳异质 结构 纳米 阵列 制备 方法 及其 应用
【主权项】:
一种基于在碳布上生长的钴酸镍@二氧化锰核壳异质结构纳米线阵列的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:(1)将镍源、钴源、十六烷基三甲基溴化铵和尿素按混合于二次蒸馏水中,混合均匀,得到混合液,将混合溶液置于反应釜中,将清洗后的碳布浸入混合液中,密闭反应釜,加热反应后,冷却至室温,洗涤、干燥、煅烧,即得生长在碳布上的钴酸镍纳米线阵列;(2)将生长在碳布上的钴酸镍纳米线阵列置于高锰酸钾溶液中,置于反应釜中,密封,加热反应后,冷却至室温,洗涤、干燥、煅烧,即得基于在碳布上生长的钴酸镍@二氧化锰核壳异质结构纳米线阵列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽师范大学,未经安徽师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610850406.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top