[发明专利]一种MOCVD反应腔石墨盘均匀加热工艺参数的优化方法

摘要

本发明涉及一种MOCVD反应腔石墨盘均匀加热工艺参数的优化方法，将计算机和传热学知识结合起来，对MOCVD反应腔中加热情况进行模拟，利用神经网络构建数学模型，再利用遗传算法进行寻优，找出石墨盘表面温度最均匀时的加热电流，从而有利于薄膜均匀沉积，提高薄膜生长质量。

主权项

一种MOCVD反应腔石墨盘均匀加热工艺参数的优化方法，其特征在于：a、在MOCVD反应腔中，利用加热片对石墨盘进行加热，通过控制加热片内圈、中圈和外圈的电流大小来进行若干组实验，加热完成后测量石墨盘表面若干个取样点的温度，得到若干组实验测量温度；b、根据MOCVD加热设备结构构建CFD数值模拟模型，利用上述加热片内圈、中圈和外圈的电流大小进行数值模拟计算，并对上述取样点进行监测，得到若干组模拟温度；c、实验测量温度和数值模拟温度对比，对其数值大小和变化趋势对比拟合，验证数值模拟的正确性；d、进行实验设计，控制加热片内圈、中圈和外圈输入电流的大小，随机选取若干组初始值进行数值模拟，相应的得到若干组石墨盘表面温度结果；e、利用上述若干组电流输入和石墨盘表面温度输出构建神经网络数学模型，得到输入和输出之间的对应关系；f、利用遗传算法对上述得到的神经网络数学模型进行优化，找出输出结果最均匀情况下的输入，得到优化结果。