[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 201610851218.7 | 申请日： | 2016-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN106158953A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 蒋苓利;沈忱;于洪宇;李涛;纪冬梅 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学;苏州珂晶达电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及制备方法，其中，高电子迁移率晶体管包括：衬底；位于衬底上的半导体层，其中，半导体层包括沟道层和异质结构，异质界面形成二维电子气，栅极区域的半导体层上形成有凹槽，且凹槽下方半导体层的厚度大于满足增强型晶体管条件的厚度；位于半导体层上的源极和漏极；位于凹槽中的第一介质层；位于第一介质层上相互绝缘的多个条形浮栅，其中，多个条形浮栅垂直于沟道长度方向且平行排列；包覆多个条形浮栅和第一介质层的第二介质层；位于第二介质层上的控制栅。本发明解决了增强型高电子迁移率晶体管的工艺控制难度高和工艺重复性差的问题，提高了半导体器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 迁移率 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的半导体层，其中，所述半导体层包括沟道层和异质结构，异质界面形成二维电子气，栅极区域的半导体层上形成有凹槽，且所述凹槽下方半导体层的厚度大于满足增强型晶体管条件的厚度；位于所述半导体层上两端的源极和漏极；位于所述凹槽中的第一介质层；位于所述第一介质层上相互绝缘的多个条形浮栅，用于存储电子，得到增强型高电子迁移率晶体管，其中，所述多个条形浮栅垂直于沟道长度方向且平行排列；包覆所述多个条形浮栅和所述第一介质层的第二介质层；位于所述第二介质层上的控制栅。
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