[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 201610851407.4 | 申请日： | 2016-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN106158954A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 蒋苓利;沈忱;于洪宇;李涛;纪冬梅 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学;苏州珂晶达电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及制备方法，其中，高电子迁移率晶体管包括：衬底；位于所述衬底上的半导体层，所述半导体层包括异质结构，异质界面形成二维电子气；位于所述半导体层上两端的源极和漏极；位于所述源极和漏极之间的所述半导体层上的第一介质层；位于所述第一介质层上的浮栅；包覆所述浮栅和所述第一介质层的第二介质层；位于所述第二介质层上的控制栅。本发明解决了增强型氮化镓高电子迁移率晶体管的工艺控制难度高和工艺重复性差的问题，提高了半导体器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 迁移率 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的半导体层，所述半导体层包括异质结构，异质界面形成二维电子气；位于所述半导体层上两端的源极和漏极；位于所述源极和漏极之间的所述半导体层上的第一介质层；位于所述第一介质层上的浮栅，用于存储电子，得到增强型高电子迁移率晶体管；包覆所述浮栅和所述第一介质层的第二介质层；位于所述第二介质层上的控制栅。
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