[发明专利]金属薄膜的检测方法有效
| 申请号： | 201610853043.3 | 申请日： | 2016-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN106409712B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 孙洪福;姜国伟;丁同国;梁海林 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/55 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张振军;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种金属薄膜的检测方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面具有金属薄膜，所述半导体衬底的表面分中心区域和包围所述中心区域的边缘区域；在所述边缘区域内的多个预设位置，检测光反射率值；根据所述多个预设位置的光反射率值与预设阈值范围的关系，判断所述金属薄膜是否出现异常。本发明方案可以实时辨识金属薄膜的异常情况，有效地避免在半导体衬底上形成的产品的良率降低。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 薄膜 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属薄膜的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面具有金属薄膜，所述半导体衬底的表面分中心区域和包围所述中心区域的边缘区域；在所述边缘区域内的多个预设位置，检测光反射率值；根据所述多个预设位置的光反射率值与预设阈值范围的关系，判断所述金属薄膜是否出现异常；其中，所述多个预设位置包括：分布于外边缘线以外的第一检测点和分布于内边缘线以内的第二检测点，所述外边缘线是以所述半导体衬底的边缘为基准向内收缩第一距离得到的，所述内边缘线是以所述半导体衬底的边缘为基准向内收缩第二距离得到的，所述第一距离小于所述第二距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
