[发明专利]晶片尺寸等级的感测晶片封装体及其制造方法

摘要

本发明提供一种晶片尺寸等级的感测晶片封装体及其制造方法，该晶片尺寸等级的感测晶片封装体包括一感测晶片，具有相对的一第一上表面及一第一下表面，该第一上表面形成有一第一绝缘层，该感测晶片包括位在邻近该第一上表面处的一感测元件、及多个位在该第一绝缘层内且邻近该感测元件的导电垫，且该第一下表面具有一线路层，分别连接每一导电垫；以及一围堰层，形成于邻近该感测元件的该第一绝缘层上。本发明能够改善感测晶片封装体所遭遇的热涨冷缩的翘曲效应。

主权项

一种晶片尺寸等级的感测晶片封装体，其特征在于，包括：感测晶片，包括：感测元件基板，具有相对的第一上表面及第一下表面；第一绝缘层，形成于该第一上表面；感测元件，形成于该感测元件基板内邻近该第一上表面处；及多个导电垫，位在该第一绝缘层内且邻近该感测元件；线路层，位在该第一下表面，且分别连接每一导电垫；以及围堰层，形成于邻近该感测元件的该第一绝缘层上。