[发明专利]一种碳化硅MOSFET及其制造方法在审
| 申请号： | 201610854119.4 | 申请日： | 2016-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107871781A | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 宋庆文;张玉明;贾一凡;肖莉;王茳;王志坚 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学;中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心11010 | 代理人： | 于小凤 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅MOSFET及其制造方法，用以解决现有技术中碳化硅MOSFET界面密度较高的问题，该碳化硅MOSFET包括碱土金属氧化物形成的界面层，该界面层纵向设置于MOSFET的二氧化硅栅介质层与JFET区域之间，横向设置于MOSFET的两个N+源区接触之间，该碳化硅MOSFET缓解了传统碳化硅MOSFET器件中碳化硅与二氧化硅之间的晶格失配，从而缓和界面应力，减少悬挂键，改善了界面特性，提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅MOSFET，其特征在于，包括：碱土金属氧化物形成的界面层，所述界面层纵向设置于所述金属‑氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的二氧化硅SiO2栅介质层与结型场效应晶体管JFET区域之间，横向设置于所述MOSFET的两个N+源区接触之间。
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