[发明专利]一种激光器芯片的制作方法有效
| 申请号： | 201610854559.X | 申请日： | 2016-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107872007B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 尚飞;方瑞禹 | 申请（专利权）人： | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/24 |
| 代理公司： | 11438 北京律智知识产权代理有限公司 | 代理人： | 邢雪红;乔彬<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 266555 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种激光器芯片的制作方法。制作方法包括：生长脊波导层、牺牲层；刻蚀牺牲层，形成凸起结构，凸起结构定义出双脊间距；沉积掩膜层；刻蚀掩膜层，使牺牲层的顶端端面露出，保留牺牲层两侧的掩膜层侧墙；使用湿法刻蚀去除凸起结构；定义出双沟槽位置及宽度；刻蚀脊波导层；刻蚀去除掩膜层侧墙，形成双脊双沟槽结构；沉积电极层。在对上述激光器芯片的制作方法制作得到的激光器芯片测试时，能够分别测试两个激光器。在第一次挑选不合格芯片中进行第二次挑选，减少了芯片的报废，提高了芯片成品率，降低了芯片制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光器 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光器芯片的制作方法，包括步骤：/n在晶圆上生长脊波导层；/n在脊波导层上生长牺牲层；/n刻蚀牺牲层，形成凸起结构，所述凸起结构定义出双脊间距；/n沉积掩膜层；/n干法刻蚀掩膜层，使牺牲层的顶端端面露出，保留牺牲层两侧的掩膜层形成掩膜层侧墙；/n使用湿法刻蚀去除所述凸起结构；/n在脊波导层的两端相对形成两个凸台，两个所述凸台定义出双沟槽的宽度；/n根据所述掩膜层侧墙及所述凸台，刻蚀脊波导层；/n去除掩膜层侧墙及凸台，形成双脊双沟槽结构；/n在双脊双沟槽结构上沉积电极层，形成两个激光器。/n
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