[发明专利]一种栅氧层的制备方法

摘要

本发明提供了一种栅氧层的制备方法，首先在硅衬底表面采用第一O₂分压来快速生长初始栅氧层，然后，在初始栅氧层表面采用第二O₂分压且降低生长速率来生长新栅氧层，初始栅氧层的厚度与新栅氧层的厚度总和为目标厚度，快速生长初始栅氧层，得到一定厚度的初始栅氧层，降低生长速率来生长新栅氧层，可以在初始栅氧层表面得到均匀的且不易分解的新栅氧层，这是因为，降低栅氧层的生长速率，即是降低O与Si的反应速率，从而可以确保O与Si的反应充分来生成SiO₂，同时避免SiO₂与Si生成2SiO造成初始栅氧层以及新栅氧层的缺失，进一步得到均匀的栅氧层。

主权项

1.一种栅氧层的制备方法，其特征在于，包括：步骤01：提供一硅衬底；步骤02：在第一含O₂气氛下，在硅衬底表面采用第一生长速率来生长初始栅氧层；步骤03：在第二含O₂气氛下，在初始栅氧层表面采用第二生长速率来生长新栅氧层；新栅氧层的厚度与初始栅氧层的厚度总和为所需栅氧层的目标厚度；其中，第一生长速率大于第二生长速率，初始栅氧层的生长时间小于新栅氧层的生长时间，在新栅氧层生长时，采用惰性气体作为主气体，O₂作为辅助气体。