[发明专利]一种用于单光子探测器的主动猝灭电路及其工作方法有效

专利信息
申请号: 201610854708.2 申请日: 2016-09-27
公开(公告)号: CN106482840B 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 李永富;刘俊良;张庭发;连洁;王莹 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: G01J11/00 分类号: G01J11/00
代理公司: 青岛致嘉知识产权代理事务所(普通合伙) 37236 代理人: 李浩成
地址: 250100 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种用于单光子探测器的主动猝灭电路及其工作方法。该用于单光子探测器的主动猝灭电路,包括两个高速比较器、高电子迁移率晶体管(HEMT)、开门脉冲发生器、关门脉冲发生器、APD电容平衡电路;本发明所述用于单光子探测器的主动猝灭电路,利用SiGe异质结(HBT)比较器集成电路和GaAs高电子迁移率晶体管(HEMT),实现了超快的猝灭速度,可工作在门控模式和自由运转模式。
搜索关键词: 一种 用于 光子 探测器 主动 电路 及其 工作 方法
【主权项】:
1.一种用于单光子探测器的主动猝灭电路,其特征在于,包括高速比较器U2、高速比较器U4、高电子迁移率晶体管Q1、开门脉冲发生器、关门脉冲发生器和APD电容平衡电路;APD电容平衡电路包括APD和电容;APD的阴极通过电阻与可调偏置电压源连接;APD的阴极与高速比较器U2的同相输入端连接;高速比较器U2的反相输出端与高速比较器U2的锁存控制反相输入端连接;高速比较器U2的反相输入端连接有鉴别电平;高速比较器U2的同相输出端与高电子迁移率晶体管Q1的输入端连接;高电子迁移率晶体管Q1的输出端与APD的阳极连接;APD的阳极通过电容与高速比较器U2的反相输入端连接;开门脉冲发生器的输出端与高速比较器U2的锁存控制同相输入端连接;关门脉冲发生器的输出端通过耦合电容与高速比较器U2的反相输入端连接;高速比较器U2的反相输出端和锁存控制反相输入端与高速比较器U4的反相输入端连接,高速比较器U4的一对差分输出与D触发器U3的差分时钟输入端反相连接;门控信号与D触发器U3的异步复位端反相连接;D触发器U3的数据输入端连接固定高电平。
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