[发明专利]一种双栅极鳍式场效应晶体管形成方法及其结构

摘要

本发明提供一种双栅极鳍式场效应晶体管形成方法及其结构，其通过在鳍(fin)下部分的一侧形成一个栅极作为控制栅(control gate)，在鳍上部分形成另一个栅极作为驱动栅(drive gate)，不仅可以降低鳍的有效沟道底部的漏电，且通过调节控制栅的厚度可以有效改变驱动栅的阈值电压，还可以提高器件性能。

主权项

1.一种双栅极鳍式场效应晶体管形成方法，其特征在于，包括：步骤S1：在硅衬底上沉积第一硬质掩膜(HM1)，对第一硬质掩膜(HM1)进行图形化，以形成芯轴；步骤S2：在所述硅衬底 表面沉积第二硬质掩膜(HM2)，通过图形化第二硬质掩膜(HM2)形成所述芯轴的侧墙；步骤S3：采用图形化后第二硬质掩膜(HM2)对所述硅衬底进行刻蚀形成第一凹槽；步骤S4：在所述硅衬底沉积氧化硅，通过CMP研磨去除所述芯轴和侧墙顶部的氧化硅，对所述第一凹槽回刻形成第一隔离浅沟槽；步骤S5：通过氧化工艺在第一隔离浅沟槽的侧壁形成第一栅极氧化层(GOX1)后，沉积第一栅极材料；步骤S6，通过CMP和回刻形成第一栅极；步骤S7：在所述硅衬底上沉积氧化硅牺牲层，然后，采用CMP研磨露出第一硬质掩膜(HM1)形成的芯轴顶部和第二硬质掩膜(HM2)形成的侧墙顶部；步骤S8：刻蚀去掉第一硬质掩膜(HM1)形成的芯轴，并继续刻蚀所述芯轴的硅衬底形成第二凹槽，形成鳍；步骤S9：在所述硅衬底上沉积氧化硅；步骤S10：通过CMP研磨和回刻形成第二隔离浅沟槽；步骤S11：通过氧化工艺形成第二栅极氧化层(GOX2)后，沉积第二栅极材料；步骤S12：通过图形化第二栅极材料得到第二栅极。