[发明专利]一种改善SONOS结构嵌入式闪存性能的方法在审
| 申请号： | 201610854734.5 | 申请日： | 2016-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN106129011A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 戴树刚;唐小亮;黄冠群 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;张磊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善SONOS结构嵌入式闪存性能的方法，包括在定义有核心器件区、外围器件区、存储器件区的整个硅衬底表面依次形成隧穿氧化层、氮化硅电荷俘获层，去除存储器件区以外区域覆盖的隧穿氧化层、氮化硅电荷俘获层，仅在存储器件区以外的硅衬底表面形成一层第一二氧化硅层，在整个硅衬底表面形成一层第二二氧化硅层，以在核心器件区、外围器件区形成由第一、第二二氧化硅层构成的栅氧层薄膜，在存储器件区形成由隧穿氧化层、氮化硅电荷俘获层以及第二二氧化硅层构成的ONO薄膜，可解决SONOS器件尺寸缩小时产生的性能退化以及擦写窗口减小问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 sonos 结构 嵌入式 闪存 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种改善SONOS结构嵌入式闪存性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一定义有SONOS器件核心器件区、外围器件区、存储器件区的硅衬底，在整个硅衬底表面依次形成隧穿氧化层、氮化硅电荷俘获层；步骤S02：去除存储器件区以外的硅衬底表面覆盖的隧穿氧化层、氮化硅电荷俘获层；步骤S03：仅在存储器件区以外的硅衬底表面形成一层第一二氧化硅层；步骤S04：在整个硅衬底表面形成一层第二二氧化硅层，以在核心器件区、外围器件区形成由所述第一、第二二氧化硅层构成的栅氧层薄膜，在存储器件区形成由所述隧穿氧化层、氮化硅电荷俘获层以及第二二氧化硅层构成的ONO薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610854734.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：手术牵开器
- 下一篇：茵陈茶梅颗粒保健醋的酿造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
