[发明专利]一种降低腔体内金属污染含量的多晶硅刻蚀腔及方法在审
| 申请号： | 201610854743.4 | 申请日： | 2016-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN106206385A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 唐在峰;许进;任昱;吕煜坤 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;张磊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低腔体内金属污染含量的多晶硅刻蚀腔及方法，通过在多晶硅刻蚀腔体内用于紧锁静电吸附盘、下电极、聚焦环及基座的金属钉子暴露的顶部装配结构外部采用等离子体隔绝装置，将金属钉子完全保护起来，能确保彻底避免金属钉子在腔体工艺期间被刻蚀等离子体轰击出金属活性离子所造成的对刻蚀腔体金属污染的问题，起到降低多晶硅刻蚀腔体金属污染含量的效果，从而可降低多晶硅刻蚀过程中对产品电性性能的固有损害，提升产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 体内 金属 污染 含量 多晶 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种降低腔体内金属污染含量的多晶硅刻蚀腔，其特征在于，所述多晶硅刻蚀腔内部自下而上依次设有基座、下电极、静电吸附盘，环绕静电吸附盘设有聚焦环，静电吸附盘、下电极、聚焦环及基座相互之间以金属钉子进行紧锁，各所述金属钉子的顶部设有装配结构；所述装配结构暴露于多晶硅刻蚀腔内，其外部设有等离子体隔绝装置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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