[发明专利]离子源菱形截面钼电极外表面仿形模递次加工成型方法有效
申请号: | 201610855030.X | 申请日: | 2016-09-27 |
公开(公告)号: | CN106340432B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 李军;胡纯栋 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
主分类号: | H01J9/02 | 分类号: | H01J9/02 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 朱荣 |
地址: | 230031 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了离子源菱形截面钼电极外表面仿形模递次加工成型方法,先生产圆形截面的钼管;利用牺牲金属块的刚度大,在牺牲金属块内线切割作出仿形模空腔,把圆形截面的钼管插入仿形模空腔内并固定加工部分所需表面,重复仿形模加工步骤,递次成型直到获得所需的菱形截面钼电极。本发明保证了钼管的直线度,同时去料加工钼管表面,不会给钼管带来变形和微裂纹。 | ||
搜索关键词: | 离子源 菱形 截面 电极 外表 面仿形模递次 加工 成型 方法 | ||
【主权项】:
离子源菱形截面钼电极外表面仿形模递次加工成型方法,其特征在于包括以下步骤:第一步,生产圆形截面的钼管;第二步,在牺牲金属块内线切割作出圆形仿形模空腔;第三步,把圆形截面的钼管插入圆形仿形模空腔内并固定;第四步,用去料方法加工部分所需表面;第五步,在牺牲金属块内线切割作出完全仿菱形截面或部分仿菱形截面的仿形模空腔;第六步,把第四步加工过的钼管插入完全仿菱形截面或部分仿菱形截面的仿形模空腔内并固定;第七步,用去料方法加工部分所需表面;第八步,重复第五步、第六步、第七步,递次成型直到获得所需的菱形截面钼电极。
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