[发明专利]氧化钇‑钨梯度材料及其制备方法和在制造金属熔炼用坩埚中的应用

摘要

本发明涉及氧化钇‑钨梯度材料及其制备方法和在制造金属熔炼用坩埚中的应用。所述梯度材料包括氧化钇层和多个过渡层，第m过渡层的氧化钇和钨的体积分数根据CWm＝1‑CYm和计算，其中CYm和CWm分别为第m过渡层中的氧化钇和钨的体积分数；m为1至(n‑1)的自然数；l为所述多个过渡层的总厚度；n为氧化钇层和各过渡层的总层数且n≥3；Hi为第i层的厚度，Hm为第m过渡层的厚度。所述方法包括称取所需的钨粉末和氧化钇粉末；在模具中使用各粉末铺制相应的层，并进行成型和烧结。本发明还提供了所述梯度材料在制造如金属熔炼用坩埚中的应用。所述梯度材料具有良好的抗合金熔体侵蚀的能力和抗热震性能，可广泛用于高温合金的熔炼，所述方法工艺简单、易操作、能耗低。

主权项

一种氧化钇‑钨梯度材料，其特征在于：所述梯度材料包括氧化钇层和多个过渡层，所述氧化钇层位于所述多个过渡层中的氧化钇含量最大的层的一侧，从所述多个过渡层中的钨含量最大的层的一侧开始计，所述多个过渡层包括第1、2、……、n‑1层，所述氧化钇层为第n层；所述多个过渡层中第m过渡层的氧化钇的体积分数和钨的体积分数根据如下公式计算：CYm=(xml)0.3---(1)]]> CWm＝1‑CYm             (2)xm=Σi=1mHi-12Hm---(3)]]>其中：CYm为第m过渡层中的氧化钇的体积分数；CWm为第m过渡层中的钨的体积分数；m为1至(n‑1)的自然数；l为所述多个过渡层的总厚度；n为氧化钇层和各过渡层的总层数且n≥3；Hi为第i层的厚度，Hm为第m过渡层的厚度。