[发明专利]一种TCO/TiW透明导电薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201610855569.5 | 申请日： | 2016-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN106282925B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 沈鸿烈;吴斯泰;沈小亮;李玉芳;倪志春;魏青竹 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学;苏州腾晖光伏技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京精金石专利代理事务所(普通合伙) 11470 | 代理人： | 刘俊玲 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TCO/TiW透明导电薄膜及其制备方法，利用超薄TiW合金薄膜层作为扩散阻挡层改善TCO薄膜(如掺铟氧化锡(ITO)、掺铝氧化锌(AZO)或掺氟氧化锡(FTO)等三种薄膜)与p‑Si等衬底的接触性能；并且通过TiW合金薄膜层的引入作为金属层，与TCO薄膜形成TCO/TiW双层薄膜，使薄膜的电学性能得到明显改善；TCO/TiW透明导电薄膜在显示器、太阳电池等半导体器件中具有巨大应用前景。一种TCO/TiW透明导电薄膜的制备方法，包括：在衬底的表面上沉积TiW合金，形成TiW合金薄膜层/衬底结构；再在所述TiW合金薄膜层的表面上沉积TCO透明导电氧化物，形成TCO薄膜层/TiW合金薄膜层/衬底结构。 | ||
| 搜索关键词： | 合金薄膜层 透明导电薄膜 制备 衬底结构 衬底 沉积 薄膜 透明导电氧化物 半导体器件 掺氟氧化锡 掺铝氧化锌 掺铟氧化锡 扩散阻挡层 电学性能 接触性能 双层薄膜 金属层 显示器 合金 引入 应用 | ||
【主权项】：
1.一种TCO/TiW透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括：在衬底的表面上沉积TiW合金，形成TiW合金薄膜层/衬底结构；再在所述TiW合金薄膜层的表面上沉积TCO透明导电氧化物，形成TCO薄膜层/TiW合金薄膜层/衬底结构。
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