[发明专利]一种低串联电阻S‑Si半导体合金膜太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种低串联电阻S‑Si半导体合金膜太阳能电池及其制备方法，此新型太阳能电池的芯片的表面用纳秒激光外延生长了一层纳米晶S‑Si半导体合金膜，纳米晶S‑Si半导体合金膜的厚度为0.5~5μm，薄层电阻为0.5~50Ω/口，在全光谱范围内的反射率≤7%；本发明的低串联电阻S‑Si半导体合金膜太阳能电池表面增加一层纳米半导体合金膜，使太阳能电池芯片表面的薄层电阻由常规商用电池的30～100Ω/口降低至0.5～50Ω/口，从而使串联电阻降低一个数量级，即由3~7mΩ降低至0.1~0.5mΩ，在此基础上可以减少太阳能电池的收集栅的数量，从而增大感光面积，提高太阳能电池的转换效率，且制备方法操作简单、制备方便、成本低、适用于工业化大规模生产。

主权项

一种低串联电阻S‑Si半导体合金膜太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池芯片表面有一层纳米S‑Si半导体合金膜，所述纳米S‑Si半导体合金膜的厚度为0.5~5μm，薄层电阻为0.5~50Ω/口，在全光谱范围内的反射率≤7%。