[发明专利]基于磁性隧道结的忆阻器在审
| 申请号： | 201610856498.0 | 申请日： | 2016-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN107871815A | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 蔡佳林;方彬;王超;曾中明;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于磁性隧道结的忆阻器，所述忆阻器包括相对平行设置的顶电极层和底电极层；以及设置在顶电极层和底电极层之间的隧道结，隧道结包括从顶电极层到底电极层依序设置的磁性自由层、势垒层、钉扎层以及反铁磁层；其中，磁性自由层沿与顶电极层的法线方向垂直的方向具有按预定规律变化的形状，以使磁性自由层中与顶电极层的法线方向垂直的方向形成至少一个磁畴壁钉扎中心。本发明通过设置横向宽度逐渐变化的阶梯状或曲率变化的波浪型忆阻器，使忆阻器具有至少一个磁畴壁钉扎中心，实现忆阻器电阻值在低阻和高阻之间的连续调制。此外，本发明的忆阻器具有电阻变化率大、电阻率高、功耗低、温度稳定性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 磁性 隧道 忆阻器 | ||
【主权项】：
一种基于磁性隧道结的忆阻器，其特征在于，所述忆阻器包括：相对平行设置的顶电极层和底电极层；以及设置在所述顶电极层和所述底电极层之间的隧道结，所述隧道结包括从所述顶电极层到所述底电极层依序设置的磁性自由层、势垒层、钉扎层以及反铁磁层；其中，所述磁性自由层沿与所述顶电极层的法线方向垂直的方向具有按预定规律变化的形状，以使所述磁性自由层中与所述顶电极层的法线方向垂直的方向形成至少一个磁畴壁钉扎中心。
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