[发明专利]非对称电压放电管及其制造方法在审
| 申请号： | 201610856921.7 | 申请日： | 2016-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107871663A | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 盖浩然 | 申请（专利权）人： | 青岛东浩软件科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/332 | 分类号： | H01L21/332;H01L29/74 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非对称电压放电管及其制造方法。该制造方法包括氧化、光刻、离子注入、硼扩散、磷扩散、台面腐蚀、玻璃钝化、金属蒸发、电参数测试、封装等工序。其中，在离子注入工序中，分别由半导体晶片的正反面向半导体晶片内注入不同剂量的离子源，并将离子源推深至预定深度。本发明一种非对称电压放电管及其制造方法通过在半导体晶片的正反面分别注入不同剂量的离子源，使得经过硼扩散后的半导体晶片PN结附近的杂质浓度不一致，从而使得半导体晶片正反面的击穿电压不一致，可以应用于输入输出端口浪涌电压不一致的芯片防护。 | ||
| 搜索关键词： | 对称 电压 放电 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非对称电压放电管的制造方法，包括氧化、光刻、离子注入、硼扩散、磷扩散、台面腐蚀、玻璃钝化、金属蒸发、电参数测试、封装工序，其特征在于，在离子注入工序中，分别由半导体晶片的正反面向半导体晶片内注入不同剂量的离子源，并将离子源推深至预定深度；所述半导体晶片正面注入离子源的能量为60KeV～100KeV、剂量为4.5E14～5.5E14cm‑2，由半导体晶片反面注入离子源的能量为60KeV～100KeV、剂量为4E14～5E14cm‑2；所述离子源包括：磷离子源或砷离子源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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