[发明专利]一种氧化物载流子传输层的硅异质结太阳电池及其制备方法

摘要

本发明提供了一种氧化物载流子传输层的硅异质结太阳电池及其制备方法，该方法在沉积有双面钝化层I的衬底S的一面沉积金属氧化物电子选择层ESL，而后于ESL的相对面上在较低的反应前驱物能量的情况下沉积高功函数的金属氧化物空穴选择层HSL，与低功函数的硅衬底形成了界面反型层，产生空穴选择的效果，而后在HSL层上沉积透明电极T，最后于电池正、反两面分别沉积金属电极M1和M2。该结构所采用的高功函数的HSL层兼具高透过、低吸收较的特性，可有效提升电池的光谱相应，且其制备方法简单，易于实施。

主权项

一种氧化物载流子传输层的硅异质结太阳电池，其特征在于，由正面金属栅线电极M1、透明导电薄膜T、空穴选择层HSL、钝化层I、衬底S、电子选择层ESL、背电极M2组成，所述衬底S形貌为抛光形貌或制绒形貌；结晶情况为单晶或多晶；空穴选择层HSL为氧化钼或氧化钒或氧化钨金属氧化物材料中的一种或多种，HSL层的厚度控制在5～35nm，光学带隙宽度为3～4eV；电子选择层ESL的制备所需要的材料为氧化锌、氧化铟锡、氧化锡中的一种或多种组合，ESL厚度控制在10～200nm。