[发明专利]ZnGaNO-聚合物自清洁杂化膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610858388.8 申请日: 2016-09-28
公开(公告)号: CN106268328B 公开(公告)日: 2019-08-02
发明(设计)人: 吴慧青;胡艳玲;刘跃军;曾达聪;郑贤庭;毛龙 申请(专利权)人: 厦门理工学院
主分类号: B01D61/14 分类号: B01D61/14;B01D67/00;B01D69/02;B01D71/16;B01D71/26;B01D71/30;B01D71/34;B01D71/42;B01D71/50;B01D71/52;B01D71/56;B01D71/64;B01D71/68
代理公司: 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 代理人: 魏思凡
地址: 361000 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开一种相转化法制备ZnGaNO‑聚合物自清洁杂化膜的方法,包括以下步骤:S1,将ZnGaNO粒子分散于第一溶剂中,超声分散均匀;S2,将聚合物溶解于第一溶剂中,再加入ZnGaNO粒子的分散液,搅拌并超声,得到铸膜液;S3,将配制好的铸膜液静置脱泡后,置于底物上,流动并扩展;S4,将涂有铸膜液的底物呈水平放置浸入第二溶剂中,相转化成膜,得到所述ZnGaNO‑聚合物自清洁杂化膜,其中,所述第一溶剂为聚合物的良溶剂,所述第二溶剂为聚合物的不良溶剂。本发明还涉及由上述方法获得的一种ZnGaNO‑聚合物自清洁杂化膜。
搜索关键词: zngano 聚合物 清洁 杂化膜 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种相转化法制备的ZnGaNO‑聚合物自清洁杂化膜,其特征在于,包括聚合物膜基底以及均匀分散于所述聚合物膜基底中的ZnGaNO粒子,所述ZnGaNO‑聚合物自清洁杂化膜按以下步骤制得:S1,将ZnGaNO粒子分散于第一溶剂中,超声分散均匀;所述第一溶剂为N、N-二甲基甲酰胺、N‑甲基‑2‑吡咯烷酮、四氢呋喃或其混合物;S2,将聚砜溶解于第一溶剂中,再加入ZnGaNO粒子的分散液,搅拌并超声,得到铸膜液,在所述铸膜液中,每3.0~10mL第一溶剂中溶解有1g所述聚砜;S3,将配制好的铸膜液静置脱泡后,置于底物上,流动并扩展;S4,将涂有铸膜液的底物呈水平放置浸入水中,相转化成膜,得到所述ZnGaNO‑聚合物自清洁杂化膜,其中,所述第一溶剂为聚砜的良溶剂,水为聚砜的不良溶剂;所述聚合物膜表层上ZnGaNO粒子的含量大于所述聚合物膜内部中ZnGaNO粒子的含量,所述ZnGaNO粒子的含量为所述聚合物质量的0.5~1wt%,所述ZnGaNO‑聚合物自清洁杂化膜对0.5g/L的牛血清蛋白水溶液的截留率大于90%;所述ZnGaNO粒子的直径为50‑500nm,厚度为10‑50nm。
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