[发明专利]一种提高非易失浮栅有机薄膜晶体管型存储器性能的方法在审
| 申请号： | 201610858443.3 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN106299122A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 陈惠鹏;郭太良;胡道兵;张国成 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350002 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高非易失浮栅有机薄膜晶体管型存储器性能的方法，提供一底栅顶接触结构的非易失浮栅有机薄膜晶体管型存储器，其电荷存储层采用掺有量子点材料的有机绝缘聚合物薄膜；量子点材料为核壳结构，最高被占据分子轨道比壳材料的最高被占据分子轨道高，核材料的最低未被占据分子轨道比壳材料的最低未被占据分子轨道低，在核材料和壳材料之间形成量子阱，使得被捕获的电荷被限制在核材料中，提高电荷存储层的捕获电荷能力，进而增大该非易失浮栅有机薄膜晶体管型存储器的记忆窗，显著提高其保持特性。本发明所提出的方法简单，易操作，投入成本低，增强该存储器的存储性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 非易失浮栅 有机 薄膜晶体管 存储器 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种提高非易失浮栅有机薄膜晶体管型存储器性能的方法，其特征在于，提供一底栅顶接触结构的非易失浮栅有机薄膜晶体管型存储器，该非易失浮栅有机薄膜晶体管型存储器的电荷存储层采用掺有量子点材料的有机绝缘聚合物薄膜；所述量子点材料为核壳结构，其最高被占据分子轨道比壳材料的最高被占据分子轨道高，核材料的最低未被占据分子轨道比壳材料的最低未被占据分子轨道低，在核材料和壳材料之间形成量子阱，使得被捕获的电荷被限制在核材料中，提高所述电荷存储层的捕获电荷能力，进而增大该非易失浮栅有机薄膜晶体管型存储器的记忆窗，提高其保持特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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