[发明专利]磁电阻元件中增强垂直磁矩稳定性的方法有效
| 申请号： | 201610858585.X | 申请日： | 2016-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107871816B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 叶力;戴瑾;陈峻 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁电阻元件中增强垂直磁矩稳定性的方法。在磁电阻元件的有效受作用区域内放置特定形状的高磁导率软磁材料(磁稳定增强层)，该材料产生的感应磁矩同磁电阻元件相互之间具有磁耦合相互作用，通过磁稳定增强层和磁电阻元件的相对位置、磁稳定增强层的形状来控制和优化前述磁耦合效应的强度和均匀性。本发明同时提供了制作磁稳定增强层的两种方法：一、磁电阻元件连接上方位线的通孔金属材料采用高磁导率软磁材料；二、磁电阻元件的顶电极上方沉积软磁材料并同磁电阻元件一起刻蚀成所需形状。本发明能够提高存储单元自由层磁矩的稳定性；在不同的芯片区域选择性的使用该磁矩稳定增强结构，可以实现差异化的自由层磁矩稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 磁电 元件 增强 垂直 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
一种磁电阻元件中增强垂直磁矩稳定性的方法，其特征在于，在磁电阻元件的有效受作用区域内设置磁矩稳定增强结构。
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