[发明专利]光刻对准标记和用于半导体制造的器件在审
| 申请号： | 201610858785.5 | 申请日： | 2016-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN107015446A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 陈庆煌;林书宏;吕奎亮;张雅惠;谢弘璋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 用于半导体制造的器件包括衬底和形成在衬底上方的层，其中，层包括对准标记。对准标记包括沿着第一方向纵向定向的多个第一纵长构件，并且该多个第一纵长构件沿着第二方向分布。对准标记还包括沿着与第一方向垂直的第三方向纵向定向的多个第二纵长构件，并且该多个第二纵长构件沿着第二方向分布，其中第二方向与第一方向和第三方向中的每一个都不同。本发明还提供了光刻对准标记。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 对准 标记 用于 半导体 制造 器件 | ||
【主权项】：
一种用于半导体制造的器件，包括：衬底；以及形成在所述衬底上方的层，所述层具有对准标记，其中，所述对准标记包括：多个第一纵长构件，沿着第一方向进行纵向定向并且沿着第二方向分布；以及多个第二纵长构件，沿着与所述第一方向垂直的第三方向进行纵向定向并且沿着所述第二方向分布，其中，所述第二方向与所述第一方向和所述第三方向中的每一个都不同。
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