[发明专利]Bi掺杂SnSe/氧化还原石墨烯复合物薄膜及其制备方法

摘要

本发明一种Bi掺杂SnSe/氧化还原石墨烯复合物薄膜，光吸收良好，电阻率低，导电性能优异，其制备方法效率高，制得薄膜质量好。所述制备方法，包括如下步骤，步骤1，制备前驱体溶液；分别制备Se^2‑离子水溶液和加入氧化石墨烯水溶液的Sn²⁺离子水溶液；步骤2，薄膜沉积；在室温下，将清洗后的基片放置在沉积容器中，将等体积的Sn²⁺离子水溶液和Se^2‑离子水溶液加入到沉积容器中，20min后取出基片，用去离子水淋洗完成一次薄膜沉积；反复沉积5–10次得到沉积薄膜；步骤3，薄膜晶化；沉积薄膜在100℃下干燥1h，或用25–40W紫外灯照射2–3h后得到晶化的Bi掺杂SnSe/rGO复合物薄膜。

主权项

1.Bi掺杂SnSe/氧化还原石墨烯复合物薄膜制备方法，其特征在于，包括如下步骤，步骤1，制备前驱体溶液；1)制备Sn2+离子水溶液；按Bi3+离子含量为Sn2+离子的0–4at％比例，将硝酸铋溶于浓度为0.02mol/L的氯化亚锡溶液中得到混合溶液，在混合溶液中加入浓度为2mg/L的氧化石墨烯水溶液得到Sn2+离子水溶液；氧化石墨烯水溶液按混合溶液体积的11％加入；在混合溶液中，按混合溶液：质量分数为33％的盐酸＝200：1的体积比加入盐酸；在混合溶液中加入Sn2+离子摩尔量1.5–2倍的柠檬酸；2)制备Se2‑离子浓度为0.019mol/L的Se2‑离子水溶液；步骤2，薄膜沉积；在室温下，将清洗后的基片放置在沉积容器中，将等体积的Sn2+离子水溶液和Se2‑离子水溶液加入到沉积容器中，20min后取出基片，用去离子水淋洗完成一次薄膜沉积；反复沉积5–10次得到沉积薄膜；步骤3，薄膜晶化；沉积薄膜在100oC下干燥1h，或用25–40W紫外灯照射2–3h后得到晶化的Bi掺杂SnSe/rGO复合物薄膜，得到的薄膜中Se/Sn真实摩尔比＜1，薄膜中Bi实际掺杂量在0‑2.54at.％间。