[发明专利]一种SiC基沟槽型场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201610859254.8 | 申请日： | 2016-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN106449757B | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 申占伟;张峰;赵万顺;王雷;闫果果;温正欣;刘兴昉;孙国胜;曾一平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有p型埋层和沟槽底部n型掺杂的SiC基UMOSFET的制备方法，其特征在于，在n‑漂移层(3)上外延生长形成p型埋层(4)，在p型埋层(4)上外延生长形成n‑漂移层(30)，在n‑漂移层(30)上外延生长形成p型基区层(5)；在主沟槽(7)底部形成n型掺杂层(900)。在反向阻断状态下，有效降低栅氧化层(10)的电场；且由于p型埋层(4)和n型掺杂层(900)的屏蔽作用，p型基区层(5)的厚度大大降低，沟道降低至0.5um以下，提升通态性能。该种SiC基UMOSFET具有较高的巴俐加优值和较低的开关损耗。本发明还提供了一种SiC基UMOSFET的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 沟槽 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC基沟槽型场效应晶体管，包括n‑漂移层(3)、p型埋层(4)、n‑漂移层(30)、p型基区层(5)，其特征在于：所述n‑漂移层(3)、p型埋层(4)、n‑漂移层(30)、p型基区层(5)自下而上依次生长而成；所述晶体管还包括在所述p型基区层(5)上形成的n+源区层(6)，穿过所述n+源区层(6)、p型基区层(5)并进入n‑漂移层(30)内的主沟槽(7)，以及在所述主沟槽(7)底部形成的n型掺杂层(900)。
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