[发明专利]一种氧化钛/氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201610859705.8 | 申请日： | 2016-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN106299115A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 李颖;赵高扬;杨志孟 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所61214 | 代理人： | 罗笛 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化钛/氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法，首先制备氧化镍薄膜；随后在氧化镍薄膜上制备氧化钛薄膜，得氧化钛/氧化镍复合薄膜，使用溅射仪对氧化钛/氧化镍复合薄膜进行顶电极制备，即得。本发明将氧化钛薄膜与氧化镍薄膜进行复合，相比较于其他具有阻变特性的材料，复合的二元金属氧化物薄膜结构简单、材料组份容易控制的特点，同时与传统的CMOS工艺具有良好的兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 电阻 存储器 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化钛/氧化镍电阻存储器薄膜的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1，制备氧化镍薄膜；步骤2，在步骤1所得氧化镍薄膜上制备氧化钛薄膜，得氧化钛/氧化镍复合薄膜，使用溅射仪对氧化钛/氧化镍复合薄膜进行顶电极制备，即得。
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